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提出了基于多管并联结构的低功耗低噪声放大器(LNA),讨论了这种结构下噪声与功耗的相互关系,提出了低功耗LNA基于“优化区”概念的设计准则。提出的电路具有结构简单对称的特点。在0.35μm CMOS工艺下进行PSPICE仿真测试。结果表明,新的低噪声放大器在2.5V电压下功耗仅为110μW,等效输入噪声为16.5nV/Hz。与已发表的低噪声放大器比较,具有明显的低功耗特点。