【摘 要】
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采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在0~15°斜切的α-Al 2O 3(0001)衬底上生长了c轴外延的CuCr 1-x Mg x O 2(x=0~0.08)系列薄膜。随Mg掺杂量增加,薄膜均为单相铜铁矿结构,表现出符
【基金项目】
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国家自然科学基金(51962017,51462017)。
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采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在0~15°斜切的α-Al 2O 3(0001)衬底上生长了c轴外延的CuCr 1-x Mg x O 2(x=0~0.08)系列薄膜。随Mg掺杂量增加,薄膜均为单相铜铁矿结构,表现出符合Arrhenius热激活模式的半导体电输运行为,室温电阻率单调下降2~3个数量级,热激活能由0.22 eV下降至0.025 eV,由此推断薄膜中Mg的固溶度至少为0.08,与多晶(~0.03)相比显著扩展。这是由于PLD薄膜生长具有非平衡、瞬时爆炸特征,使靶材第二相(MgCr 2O 4)中的
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