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对微谐振腔Q值相关机理进行模型分析，提出利用定向耦合原理对微谐振腔和总线波导之间的耦合分析。利用微碟谐振腔的高Q值理论对基于InP半导体材料的光开关设计并进行性能分析，设计的微碟光开关自由频谱范围（FSR）为3．4nm，光开关消光比可达20dB左右。此外负耦合（negative gap）结构使微碟与总线波导耦合的效率明显提高。