【摘 要】
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从热力学和动力学角度研究了亚微米级SiC粉体的氧化过程 ,结果表明 :当温度低于 80 0℃ ,亚微米级的SiC粉体很难在空气中氧化 ;但在较高温度下 (90 0～ 12 0 0℃ )极易氧化 ,且
【机 构】
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从热力学和动力学角度研究了亚微米级SiC粉体的氧化过程 ,结果表明 :当温度低于 80 0℃ ,亚微米级的SiC粉体很难在空气中氧化 ;但在较高温度下 (90 0～ 12 0 0℃ )极易氧化 ,且服从抛物线速度方程 ,受氧气通过SiO2 氧化膜的内扩散控制 ,反应的平均表观活化能为 143.4kJ/mol。
The oxidation process of submicron SiC powders was studied from the view of thermodynamics and kinetics. The results show that when the temperature is lower than 80 ℃, submicron SiC powders are difficult to be oxidized in air. However, at higher temperature ( 90 0 ~ 12 0 0 ℃) is easily oxidized, and obey the parabolic velocity equation, controlled by oxygen diffusion through the SiO2 oxide film, the average apparent activation energy of the reaction was 143.4kJ / mol.
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