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介绍了用提拉法生长的Mg2SiO4:Cr3 单晶的生长、结构和形态特征,测定了该晶体的吸收谱和荧光谱。荧光谱电子振动边带在800～1400nm,吸收谱中有一定的Fe3 吸收。
Mg2SiO4:Cr3 晶体的生长及其特性
【摘 要】
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介绍了用提拉法生长的Mg2SiO4:Cr3 单晶的生长、结构和形态特征,测定了该晶体的吸收谱和荧光谱。荧光谱电子振动边带在800～1400nm,吸收谱中有一定的Fe3 吸收。
【机 构】
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中国科学院上海光机所,上海201800
【出 处】
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中国激光
【发表日期】
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1990年17期
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