【摘 要】
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通过利用 TEM研究 Si Cp/ Al- Si复合材料发现 :Si C/ Al界面结合紧密 ,在靠近 Si C界面的 Al基体中 ,有一层厚度小于 1μm的“亚晶铝带”,它紧靠 Si C表面形成 ,与远离 Si C
【机 构】
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通过利用 TEM研究 Si Cp/ Al- Si复合材料发现 :Si C/ Al界面结合紧密 ,在靠近 Si C界面的 Al基体中 ,有一层厚度小于 1μm的“亚晶铝带”,它紧靠 Si C表面形成 ,与远离 Si C的 Al基体有几度的位向差 ;这种“亚晶铝带”在 Si C/ Al界面上普遍存在 ,其内有大量位错。
Through the study of Si Cp / Al-Si composites by TEM, it is found that the Si C / Al interface is tightly bonded. In the Al matrix close to the Si C interface, there is a sub-crystalline aluminum ribbon less than 1 μm thick, The surface is formed with a few degrees of orientation difference from the Al matrix away from Si C; this “sub-crystalline Al” is ubiquitous at the Si C / Al interface with a large number of dislocations.
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