论文部分内容阅读
实验上利用四孔的掩膜和柱透镜成功的在LN晶体中构造了不同类型的缺陷态光折变光子晶格，发现当缺陷的写入角度与C轴垂直时，写入的缺陷最好，平行时最差，并描绘了折射率随时间变化曲线，发现写入时间为40分钟时为最佳写入时间。推导了四孔掩膜的电磁场分布并在理论上模拟了四孔掩膜和柱透镜的空间光场分布，验证了此方法的可行性，这对缺陷态光子晶格的研究和应用有一定的意义。