【摘 要】
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在一些异质结构的电学器件中,如量子阱激光器和调制掺杂的场效应晶体管(MOFET)它们的两个半导体层之间的界面质量在决定其性能优劣中起着重要作用。制备这些器件的适用材料
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在一些异质结构的电学器件中,如量子阱激光器和调制掺杂的场效应晶体管(MOFET)它们的两个半导体层之间的界面质量在决定其性能优劣中起着重要作用。制备这些器件的适用材料是 CaAs/GaAlAs。为了更好的了解界面的影响,研究了与界面有
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