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通过FT-IR、XPS和荧光光谱研究了离子注入对纳米Si3N4结构的影响.发现离子注入改变了材料中游离硅(a-Si)的结构,使其变成了SiNn(n=1,2).荧光谱研究表明纳米Si3N4具有明显的量子限制效应,并且荧光峰的位置和强度存在不稳定性.根据实验结果给出了纳米Si3N4的能级结构图.
离子注入对纳米Si3N4结构的影响
【摘 要】
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通过FT-IR、XPS和荧光光谱研究了离子注入对纳米Si3N4结构的影响.发现离子注入改变了材料中游离硅(a-Si)的结构,使其变成了SiNn(n=1,2).荧光谱研究表明纳米Si3N4具有明显的量
【机 构】
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中国科学院安徽光学精密机械研究所；中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与,中国科学院安徽光学精密机械研究所,中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物?
【出 处】
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无机材料学报
【发表日期】
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2001年2期
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