【摘 要】
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用电容式辉光放电系统淀积了Si:H薄膜,利用X光衍射法分析了薄膜的结构.本实验条件下,T_s≤300℃下淀积的膜是无定形膜,而当T_s≥320℃淀积的膜已具有微晶结构,平均晶粒大小随
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,南京大学物理系,南京大学物理系
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用电容式辉光放电系统淀积了Si:H薄膜,利用X光衍射法分析了薄膜的结构.本实验条件下,T_s≤300℃下淀积的膜是无定形膜,而当T_s≥320℃淀积的膜已具有微晶结构,平均晶粒大小随T_s升高而长大.实验结果表明:未掺杂的微晶薄膜(平均晶粒大小d<200 (A|°)),如同无定形的Si:H 薄膜一样能够用Mott-Danis公式来解释它们的电传导性质.
The structure of the thin film was analyzed by X-ray diffractometry after the Si: H thin film was deposited by the capacitive glow discharge system. Under the experimental conditions, the deposited film with T_s≤300 ℃ is an amorphous film. When T_s≥320 ℃, and the average grain size grows with the increase of T_s.The experimental results show that the undoped microcrystalline thin film (average grain size d <200 (A | °)) is the same as Amorphous Si: H thin films can also use the Mott-Danis formula to explain their electrical conductivity properties.
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