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在ＸＰＳ分析室内利用超高真空蒸发方法在单晶硅衬底上沉积酞菁铜薄膜，并利用Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）作原位分析，研究酞菁铜薄膜的沉积规律，并讨论了不同条件下酞菁铜配合物分子组成及结构的变化。结果发现利用超高真空沉积方法得到酞菁铜为近化学计量，随着蒸发温度的升高，分子中Ｃｕ原子的含量逐渐减少，Ｎ原子的含理逐渐升高，苯环上的碳原子与类朴啉环上的碳原子的比例逐渐减少，这与酞菁铜分子中各原子的价键状态、酞菁铜分子