Ca2PxSi1-x能带结构及光学性质的第一性原理计算

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kkai365
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采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对不同P掺杂浓度正交相CazSi的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算,比较不同浓度P掺杂的几何结构、电子结构和光学性质。对不同P含量下Ca2PxSil-x的几何结构比较研究得出:随着P浓度增加Ca2PxSil-x的晶格常数z、c减小,b增加,体积减小;掺杂浓度对电子结构的影响主要体现在P掺杂Ca2Si使得费米面向导带偏移,且随着掺杂浓度的增加而更深入地嵌入导带中,费米面附近由Ca—dSi—P及P—P电子构成的导带和价带均向低能方向移动,带隙随着掺杂浓度的增大而
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