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在硬盘盘基片的最终抛光中，研究SiO2溶胶颗粒、氧化剂、络合剂和润滑剂对盘基片Ni—P材料抛光性能的变化规律，获得较高的材料去除速率（MRR）和原子级光滑表面，以满足下一代硬盘盘基片制造的更高要求．结果表明，采用平均粒径25nm的SiO2溶胶颗粒，易减少微划痕等缺陷；以过氧化氢为氧化剂，可大幅提高MRR；加入有机酸络合剂后，MRR显著增大，其中含有水杨酸的抛光液MRR最大，并讨论不同络舍剂对盘基片去除的影响机理；丙三醇润滑剂的引入，使抛光中摩擦系数减小，盘基片的表面粗糙度得到明显降低．采用原子力显微镜（A