飞兆半导体N沟道MOSFET系列产品——FDS881XNZ 为笔记本电脑和便携式电池组保护设计提供90%更高的ESD性能

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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列,提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护,较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最 Fairchild Semiconductor introduces a new family of high-efficiency N-channel MOSFETs that provide up to 8kV of ESD (HBM) voltage protection, up to 90% more than existing devices on the market. FDS881XNZ Series Supports Battery Protection Applications such as Notebooks and Mobile Phones
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