【摘 要】
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基于TSMC 65nm CMOS工艺,设计了一款中心频率为20GHz的压控振荡器。对压控振荡器的尾电流源噪声、交叉耦合MOS管尺寸、电感、调谐范围等诸多参数进行了性能优化。经流片后测
【机 构】
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清华大学微电子学研究所信息科学与技术国家重点实验室,
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基于TSMC 65nm CMOS工艺,设计了一款中心频率为20GHz的压控振荡器。对压控振荡器的尾电流源噪声、交叉耦合MOS管尺寸、电感、调谐范围等诸多参数进行了性能优化。经流片后测试,该振荡器的输出频率覆盖范围为17.78~22.13GHz,1 MHz处的相位噪声为-100dBc,1V电压供压下的功耗为5.1mW。
Based on the TSMC 65nm CMOS process, a voltage-controlled oscillator with a center frequency of 20GHz was designed. The voltage-controlled oscillator tail current source noise, cross-coupling MOS tube size, inductance, tuning range and many other parameters were optimized. After the flow test, the output frequency of the oscillator covers a range of 17.78 ~ 22.13GHz, the phase noise at -1 MHz is -100dBc, and the power consumption under a voltage of 1V is 5.1mW.
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