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应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[00
引入阈值的概念,建立基于Mixed-Logit模型的半补偿型方式划分模型,将选择过程划分为2个阶段,并在第二阶段采用Mixed-Logit模型,克服IIA特性和喜好随机性限制两大缺陷,最终达
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