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本文描述了一种汽相外延GaxIn1-xAs的技术:在AsCl3/Ga/In/H2体系中,采用Ga/In合金源汽相生长GaxIn1As。该方法具有外延层组分重复可控、均匀性好的特点;且易于获得高纯外延GaxIn(1-xAs层。外延Ga0.47In0.53As电学参数最佳值已达:n300K=1.2×1015cm-3,μ300K=9580cm2/V·s;n77K=1.1×1015cm-3,μ77K=3.82×104cm2/V·s。