【摘 要】
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LDD结构的形成技术基本上有三种类型:双注入、侧壁掩膜注入及隐埋注入.本文采用多晶硅作侧壁掩膜注入方法形成LDD结构,多晶硅采用SF_σ+Ar进行反应离子刻蚀而成.最后成功地试
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LDD结构的形成技术基本上有三种类型:双注入、侧壁掩膜注入及隐埋注入.本文采用多晶硅作侧壁掩膜注入方法形成LDD结构,多晶硅采用SF_σ+Ar进行反应离子刻蚀而成.最后成功地试制了栅宽为2μm的CMOS环振和栅宽为2.5μm的CMOS300门阵列,得到了比较满意的结果.
There are basically three types of LDD structure forming techniques: double implant, sidewall mask implantation and buried implant.In this paper, polysilicon is used as sidewall mask to form LDD structure, and polysilicon is formed by reactive ion etching using SF_σ + Ar Finally, CMOS CMOS gate array with gate width of 2μm and gate width of 2.5μm was successfully fabricated, and satisfactory results were obtained.
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