【摘 要】
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高能重离子在其径迹周围局域空间所沉积的微剂量,足以引起器件特性的永久性退化,导致存储器状态无法改变或器件功能异常等现象。本文综述了此领域的国内外研究进展,基于局域
【机 构】
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清华大学工程物理系,西北核技术研究所,
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高能重离子在其径迹周围局域空间所沉积的微剂量,足以引起器件特性的永久性退化,导致存储器状态无法改变或器件功能异常等现象。本文综述了此领域的国内外研究进展,基于局域总剂量与强库仑斥力两种失效机制,结合几种典型电子元器件的结构特征,介绍了微剂量效应的失效表征,并讨论了其主要影响因素和发展趋势。
The amount of high-energy heavy ions deposited in the local area around their tracks is sufficient to cause permanent degradation of the device characteristics resulting in an inability to change the state of the memory or malfunction of the device. This review summarizes the research progress at home and abroad in this field. Based on the total failure modes of local total dose and strong Coulomb repulsion, combined with the structural characteristics of several typical electronic components, the failure characterization of the micro-dose effect is introduced and its main Influencing factors and development trends.
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