【摘 要】
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报道了正向栅控二极管R-G电流法表征F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱的实验及其结果．通过体接触的方式实现了实验要求的SOI-MOSFET栅控二极管结构．对于逐渐上升的累积应力时
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报道了正向栅控二极管R-G电流法表征F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱的实验及其结果．通过体接触的方式实现了实验要求的SOI-MOSFET栅控二极管结构．对于逐渐上升的累积应力时间，测量的栅控二极管电流显示出明显增加的R-G电流峰值．根据SRH理论的相关公式，抽取出来的诱生界面陷阱密度是随累积应力时间的上升而呈幂指数的方式增加，指数为0.4.这一实验结果与文献先前报道的基本一致．
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