【摘 要】
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在传统电压型SiC MOSFET驱动电路中,驱动损耗、功率管开关损耗随着主电路开关频率、电压等级的提高而增大,驱动参数固定条件下,损耗不能得到优化。针对此问题,提出了一种应用
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在传统电压型SiC MOSFET驱动电路中,驱动损耗、功率管开关损耗随着主电路开关频率、电压等级的提高而增大,驱动参数固定条件下,损耗不能得到优化。针对此问题,提出了一种应用于DC/AC逆变器的SiC MOSFET自适应电流源型驱动(CSD)电路,驱动电流可随负载电流自适应变化。以一个半桥逆变器为例,阐述了控制原理,详细分析了恒流驱动下功率管的开关特性,根据SiC MOSFET的驱动要求,以一个开关周期内损耗最小为原则设计了自适电流源驱动电路。最后通过实验验证了所提方法的有效性。
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