PVD法制备(Ti,Al)N薄膜及其性能表征

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在PVD阴极电弧系统中,本文镀膜条件分别采用基片偏压为100V和电弧电流偏压为70a,在氮气压力为1、1.5和2Pa的条件下,涂膜时间设定为1.30h.结果表明,不同氮气压下沉积的薄膜的相结构、薄膜厚度和附着力没有显著差异.然而,显微照片显示,用1.5Pa的反应气体制备的薄膜比在另外两种压力下制备的薄膜表面光滑,液滴较少.
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