CdTe-HgTe固溶体缺陷结构模型

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根据非掺杂和掺杂材料中汞自扩散系数与汞蒸汽压的关系,验证Cd_xHg_(1-x)Te在不同退火温度下存在的缺陷。指出,在此情况下产生快慢分量扩散。在整个研究温度范围内快速扩散为一次电荷缺陷,慢扩散为二次。根据扩散数据,画出300℃时的缺陷图,并估计了汞空位和杂质施主原子结合的可能性。 The defects of Cd_xHg_ (1-x) Te at different annealing temperatures were verified according to the relationship between mercury self-diffusion coefficient and mercury vapor pressure in undoped and doped materials. Pointed out that in this case the speed of the slow component diffusion. Rapidly spread as a charge defect throughout the study temperature range, slow diffusion to secondary. Based on the diffusion data, a defect map at 300 ° C is drawn and the likelihood of mercury vacancy binding to the donor donor atoms is estimated.
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