【摘 要】
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笔者以TaN薄膜中的残余应力为主要研究对象,分别从实验和理论上对薄膜中的残余应力进行了分析。所研究TaN薄膜由物理气相沉积的方法制得,制备过程中以不同参数为变量,如反应
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笔者以TaN薄膜中的残余应力为主要研究对象,分别从实验和理论上对薄膜中的残余应力进行了分析。所研究TaN薄膜由物理气相沉积的方法制得,制备过程中以不同参数为变量,如反应气体流量、基体温度、功率、工作压力等。使用扫描电镜观察了薄膜的组织形貌,用能谱仪测量了薄膜的成分,用X射线衍射仪标定了薄膜的相结构,用X射线应力测量仪测量了薄膜在不同工艺下的残余应力,并从量子力学角度分析了残余应力产生的原因。实验结果表明:随着氮气流量的增加,薄膜的晶粒变细,薄膜中氮含量升高,相转变为单一的面心立方TaN,残余应力升高;基体
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