【摘 要】
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本文改进了液氦~4He 表面电子输运理论中的有效温度近似处理方法,研究了平行于表面的电子迁移率.研究结果表明:当漂移场小于0.8V/cm 时,电子基本上处于基亚能带,电子系统仍是
【机 构】
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西安交通大学物理系,西安交通大学物理系
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本文改进了液氦~4He 表面电子输运理论中的有效温度近似处理方法,研究了平行于表面的电子迁移率.研究结果表明:当漂移场小于0.8V/cm 时,电子基本上处于基亚能带,电子系统仍是较理想的二维系统;当温度小于0.6K 时,电子-皱子(ripplon)散射起主要作用,电子-~4He 气原子散射可以忽略,而当温度大于1.65K 时,电子-~4He 气散射是主要的,皱子散射可以忽略.更多还原
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