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在（0001）面的蓝宝石衬底上用低压MOCVD法生长P型GaN外延层．对P型GaN薄膜用180keV的Mn^＋离子注入进行磁性粒子掺杂，注入剂量保持为5．0×1015cm^-2，但注入时P型GaN分别处于室温、300℃和500℃．对注入的样品在N2气流中进行快速热退火处理，温度为850℃、时间为30s．用超导量子干涉仪（SQUID）对样品的磁性进行了分析，室温下注入样品的磁响应较弱，未发现铁磁性；在300℃下注入的样品中发现有较强的铁磁性，更高的500℃的注入温度并不能进一步增强铁磁性．结合用X