Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(3)砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(3)

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【摘要】

：

2 GaAs单结太阳电池rn2.1 AlxGa1-xAs/GaAs单结太阳电池rn在上世纪60年代,人们由GaAs材料的优良性质预见到,GaAs太阳电池能获得高的转换效率.但是初期用研制Si太阳电池的扩散

【作者】

：

向贤碧廖显伯

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

太阳能

【发表日期】

：

2015年8期

【关键词】

：

太阳电池应用系列讲座砷化镓光生载流子转换效率扩散技术光生电流单结材料表面复合优良性心复速率方法

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2 GaAs单结太阳电池rn2.1 AlxGa1-xAs/GaAs单结太阳电池rn在上世纪60年代,人们由GaAs材料的优良性质预见到,GaAs太阳电池能获得高的转换效率.但是初期用研制Si太阳电池的扩散p-n结方法来研制GaAs太阳电池并未获得成功.原因是GaAs材料的表面复活速率大,大部分光生载流子被表面复合中心复活,不能形成光生电流.因而用扩散技术制备的GaAs太阳电池的效率一直很低.

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