论文部分内容阅读
美国国家半导体公司推出一款可支持高效率系统的迟滞P场效应晶体管(P-FET)降压控制器LM3475。LM3475采用小巧的SOT23-5封装，设有可以简精系统设计的迟滞控制电路，无需为系统提供外部补偿，多种不同的元件都可稳定操作，而系统则可以作出快速瞬态响应。迟滞控制电路甚至在极小负载下也可支持高效率操作。P场效应晶体管结构的优点是可以降低所需元件的数目，将占空度提高至100％，操作时只产生较低压降。