【摘 要】
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本文介绍了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺实现的X波段连续波高功率载片式功率放大器。该模块采用GaN HEMT管芯内匹配合成技术,电路包含有四个12 mm栅宽的GaN HEMT管芯和制作
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本文介绍了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺实现的X波段连续波高功率载片式功率放大器。该模块采用GaN HEMT管芯内匹配合成技术,电路包含有四个12 mm栅宽的GaN HEMT管芯和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。模块采用尺寸为20 mm×15 mm×1.5 mm的无氧铜载片实现。测试表明,模块在8.5 GHz~9.5 GHz频段内,28 V工作电压,连续波工作条件下,功率输出大于150 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率大于42%,有效实现了连续波功率放大
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