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退火时间对射频溅射p型透明SnO₂/Al/SnO₂导电薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响（英文）

来源 :中国有色金属学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xyhnet

【摘 要】

：

采用SnO2和Al靶,通过射频(RF)溅射在石英基体上制备透明p型SnO2/Al/SnO2导电复合薄膜。沉积薄膜在500°C进行不同时间(1~8 h)退火处理,研究退火时间对SnO2/Al/SnO2复合薄

【作 者】

：

Keun Young PARK Ho Je CHO Tae 

【机 构】

：

SchoolofMaterialsScience&,Engineering,PhotovoltaicandOptoelectronicdevicecenter

【出 处】

：

中国有色金属学报：英文版

【发表日期】

：

2014年S1期

【关键词】

：

脉冲激光沉积法(PLD) 透明导电氧化物(TCO) P型 多层 透射率 pulsed laser deposition(PLD) transparent co 

【基金项目】

：

Project(NIPA-2013-H0301-13-2009) supported by the MKE,Korea,under the ITRC support program supervised by the NIPA,Project(2012HIB8A2026212) supported by the MEST and NRF through the Human Resource Tra

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采用SnO2和Al靶,通过射频(RF)溅射在石英基体上制备透明p型SnO2/Al/SnO2导电复合薄膜。沉积薄膜在500°C进行不同时间(1~8 h)退火处理,研究退火时间对SnO2/Al/SnO2复合薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。X射线衍射结果表明:所制备的p型导电薄膜具有四方金红石型多晶SnO2结构。霍尔效应结果显示:500°C,1 h为最佳退火条件,该条件下SnO2/Al/SnO2复合薄膜的孔隙浓度为1.14×1018 cm-3、电阻率为1.38?·c

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