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采用TSMC 40nm CMOS工艺,设计了一种高精度的CMOS带隙基准源.首先分析带隙基准的误差,以及误差的消除手段,然后使用斩波技术和凹口滤波器(notch filter)消除失调电压,以及减少斩波带来的纹波影响.最后通过蒙塔卡洛仿真表明该基准源在使用斩波技术后3σ精度提高了7.7倍,达到0.54%.该基准源在-20-125℃的温度范围内温度系数为14×10^-6/℃.