Pb离子辐照注碳a-SiO2薄膜的光致发光性能

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【摘要】

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用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,进行120 keV C离子注入和950 MeV Pb离子辐照,用荧光光谱分析样品发光特性的改变.结果发现,C离子注入和高能Pb离子辐照均能显著

【作者】

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刘纯宝赵志明王志光

【机构】

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菏泽学院物理系,西安理工大学材料科学与工程学院,中国科学院近代物理研究所

【出处】

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核技术

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

：

光致发光谱重离子辐照离子注入

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用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,进行120 keV C离子注入和950 MeV Pb离子辐照,用荧光光谱分析样品发光特性的改变.结果发现,C离子注入和高能Pb离子辐照均能显著影响样品的发光特性,且荧光光谱的改变强烈依赖于注入和辐照剂量,预示不同注入和辐照剂量将导致不同的发光结构形成.对注入和辐照造成薄膜发光的可能来源及发光改变的机制进行了讨论.

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