【摘 要】
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基于SMIC 0.18 μmCMOS工艺,采用一种折叠共源共栅结构,设计实现了一种低压CMOS折叠共源共栅混频器,解决了传统Gilbert混频器中跨导级与开关级堆叠带来的高电源电压问题,以及
【基金项目】
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国防科技工业民用专项科研技术研究项目;
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基于SMIC 0.18 μmCMOS工艺,采用一种折叠共源共栅结构,设计实现了一种低压CMOS折叠共源共栅混频器,解决了传统Gilbert混频器中跨导级与开关级堆叠带来的高电源电压问题,以及在跨导级的高跨导、高线性与开关级的低噪声间进行折衷设计的难题.该混频器核心电路尺寸为165 μm X 75μm,当射频信号、本振信号和中频信号分别为1575.42 MHz、1 570 MHz和5.42 MHz时,仿真表明:该混频器转换增益(Gc)为15 dB,双边带噪声系数为12.5 dB,输入三阶截断点为-0.4 dBm,在1.2 V的电源电压条件下,功耗为3.8 mW,可用于航空航天领域的电子系统中.
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