基于In—Zn—Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管

来源 :液晶与显示 | 被引量 : 0次 | 上传用户：spring2011

【摘要】

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在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49∶49∶2。所制备的器件场致迁移率达到9.8cm^2/V.s,开关比大于105,亚阈值摆幅

【作者】

：

姚绮君李曙新张群

【机构】

：

复旦大学材料科学系,天马微电子股份有限公司

【出处】

：

液晶与显示

【发表日期】

：

2010年4期

【关键词】

：

薄膜晶体管氧化锌氧化铟氧化钛 thin film transistor zinc oxide indium oxide titanium oxide

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在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49∶49∶2。所制备的器件场致迁移率达到9.8cm^2/V.s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用。更多还原

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