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碳化硅(SiC)是一种新型高功率电子器件材料,它有宽带隙、高击穿电场、高热导率等优点,并且能够形成基于硅基半导体器件制备技术的SiO2绝缘层.SiC基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可以取代硅基半导体器件被用于高温、高频、高功率等极端环境下.SiC基MOSFET的主要缺陷是相比于SiC块体的电子迁移率(~800 cm2/Vs),其沟道电子迁移率(30 ~ 50 cm2/Vs)太低.在MOSFET器件中,加载在栅极的电压诱导反型层形成导电沟道,使载流子在源极和漏极间导通.