【摘 要】
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基于K.P理论框架,通过引入应变哈密顿微扰项,详细推导并建立了应变Si的价带色散关系模型.所得模型适用于任意晶向弛豫Si1-xGex(0≤x≤0.6)衬底上生长的应变Si,并且,通过该模
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,
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基于K.P理论框架,通过引入应变哈密顿微扰项,详细推导并建立了应变Si的价带色散关系模型.所得模型适用于任意晶向弛豫Si1-xGex(0≤x≤0.6)衬底上生长的应变Si,并且,通过该模型可以获取任意K矢方向的应变Si价带结构及空穴有效质量,对器件研究设计可提供有价值的参考.
Based on the KP theory framework, the model of strain-band dispersion relationship of strain Si is deduced and deduced in detail by introducing the perturbation term of strained Hamiltonian. The obtained model is suitable for any relaxed Si1-xGex (0≤x≤0.6) substrate Growth of strain Si, and through the model can be obtained in any k-direction direction of the strained Si valence band structure and hole effective mass, the device research and design can provide valuable reference.
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