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用15keVAr^+和N^+注入纯PES膜和掺碘PES膜,掺碘PES样品离子注入后的介电谱表明,随注入剂量的增加,损耗峰秽向高频,损耗峰的高度下降。离子注入纯PES膜的介电损耗在(0~10)MHz内小于0.062,没有松驰特性,是制作布线的理想材料。红外光谱表明,离子注入引起PES膜结构变化。