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用15keVAr^+和N^+注入纯PES膜和掺碘PES膜，掺碘PES样品离子注入后的介电谱表明，随注入剂量的增加，损耗峰秽向高频，损耗峰的高度下降。离子注入纯PES膜的介电损耗在(0～10)MHz内小于0．062，没有松驰特性，是制作布线的理想材料。红外光谱表明，离子注入引起PES膜结构变化。
离子注入聚醚砜（PES）膜的介电频谱与红外光谱分析
【摘 要】
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用15keVAr^+和N^+注入纯PES膜和掺碘PES膜，掺碘PES样品离子注入后的介电谱表明，随注入剂量的增加，损耗峰秽向高频，损耗峰的高度下降。离子注入纯PES膜的介电损耗在(0～10)MHz内小于
【机 构】
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宝鸡文理学院物理系
【出 处】
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宝鸡文理学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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1998年3期
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