【摘 要】
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用直流磁控溅射方法制备了非晶态的SmCo磁性薄膜,并通过不同的退火处理使其具有不同晶粒大小的晶化组织和磁性能.用透射电镜(TEM)及电子衍射分析薄膜在不同状态下的微观组织
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用直流磁控溅射方法制备了非晶态的SmCo磁性薄膜,并通过不同的退火处理使其具有不同晶粒大小的晶化组织和磁性能.用透射电镜(TEM)及电子衍射分析薄膜在不同状态下的微观组织形貌和相结构,用振动样品磁强计(VSM)分析薄膜的磁性能变化规律.结果表明,溅射态薄膜为非晶,在400℃退火薄膜已晶化,在450℃退火时晶粒均匀细小且磁性能优良;500℃以上退火时出现不均匀粗大晶粒,对应的磁性能降低.同时探讨了SmCo磁控溅射非晶磁性薄膜晶化过程的组织结构和磁性能变化的关系.
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