【摘 要】
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采用脉冲激光沉积（PLD）技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb（Zr0.52T0.48）O3（PZT）铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介质-半导体结构（MFIS）。XRD扫描结果表明,通过M
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划（973计划）资助项目（61363）
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采用脉冲激光沉积（PLD）技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb（Zr0.52T0.48）O3（PZT）铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介质-半导体结构（MFIS）。XRD扫描结果表明,通过MgO缓冲层对界面结构的优化,实现了PZT薄膜沿（111）面择优取向生长。电流-电压（I-V）测试结果显示,MgO缓冲层的引入大大改善了集成体系的电学性能。在外加电压为-8V时,与无MgO缓冲层的MFS异质体系相比较,该MFIS结构的漏电流密度降低了5个数量级。集成体系的电容-电压（C-
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