【摘 要】
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本文采用时域有限差分方法仿真研究了金粒子在金属(金),半导体(硅)和电介质(二氧化硅)基底表面经飞秒激光激发后的近场(电场)特性。仿真结果表明,在三种基底条件下,基底表面
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本文采用时域有限差分方法仿真研究了金粒子在金属(金),半导体(硅)和电介质(二氧化硅)基底表面经飞秒激光激发后的近场(电场)特性。仿真结果表明,在三种基底条件下,基底表面的电场均被增强,但电场的强度、空间分布以及尺寸大小均取决于基底材料。在金属基底和半导体基底条件下,电场被局限在粒子与基底的接触点周围。由于基底材料的不同,导致能够产生最大增强因子的共振波长发生偏移。该研究对于调控增强因子,实现超衍射极限纳米结构的精细加工具有重要意义。
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ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技