【摘 要】
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用193nm ArF准分子激光器辐射激发SiH_4和NH_3反应,在200～600℃基片温度下,在硅片上淀积Si_3H_4薄膜.已经得到了具有与使用低压化学气相淀积(LPCVD)法得到的薄膜相当的物理和
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用193nm ArF准分子激光器辐射激发SiH_4和NH_3反应,在200～600℃基片温度下,在硅片上淀积Si_3H_4薄膜.已经得到了具有与使用低压化学气相淀积(LPCVD)法得到的薄膜相当的物理和化学特性的化学计量膜.目前,这种薄膜的介质特性次于LPCVD材料的介质特性.
The SiH 4 and NH 3 reactions were excited by irradiation with a 193 nm ArF excimer laser to deposit a Si 3 H 4 thin film on a silicon wafer at a substrate temperature of 200-600 C. A thin film having the same composition as the thin film obtained by the low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) Equivalent to the stoichiometric film of physical and chemical properties.At present, the dielectric properties of this film are inferior to those of LPCVD materials.
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