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日本三菱电机公司中央研究所，最近试制成一种通过改变注入电流的大小，可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚，它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条宽亦经适当选择，可在0.843微米和0.803微米单独或同时振荡。
双波长量子阱GaAs半导体激光器
【摘 要】
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日本三菱电机公司中央研究所，最近试制成一种通过改变注入电流的大小，可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚，它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条宽亦经适当选择，可在0.843微米和0.803微米单独或同时振荡。
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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1987年24期
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