【摘 要】
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以SF6/O2为刻蚀气体, 采用电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀(ECR-RIE)方法进行了氟化非晶碳(a-C:F)低介电常数薄膜的等离子体刻蚀技术研究,结果表明,a-C:F薄膜的刻蚀速率取
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以SF6/O2为刻蚀气体, 采用电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀(ECR-RIE)方法进行了氟化非晶碳(a-C:F)低介电常数薄膜的等离子体刻蚀技术研究,结果表明,a-C:F薄膜的刻蚀速率取决于薄膜中C-CFx与CFx两类基团刻蚀过程,富C-CFx结构的a-C:F薄膜刻蚀速率在O2含量约20%时达到最大,而富CFx结构的a-C:F薄膜刻蚀速率随O2的增大而减小.AFM分析表明,SF6气体刻蚀a-C:F薄膜可以有效消除薄膜表面的团聚结构.XPS能谱分析表明, SF6气体刻蚀a-C:F薄膜样品化学组分未发生变
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