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报道了用ECR离子源的高电荷态离子^40Ar^10+入射到P型Si表面的实验研究,通过实验测量到的Si原子和Si^2+离子的200nm-1000nm光谱,研究了谱线产生的机理,实验结果表明:低速高电荷态离子与固体表面相互作用中,可有效地激发原子和离子的特征谱线,分析了这一现象和相互作用过程的发光机理。