【摘 要】
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本文研究了GaAs/GaAlAs双异质结发光管的退化特性。有快、慢二种退化类型。器件的慢退化是由于有源区有暗缺陷(DSD)产生和长大,引起光功率下降。文中研究了老化过程中I-V特性
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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本文研究了GaAs/GaAlAs双异质结发光管的退化特性。有快、慢二种退化类型。器件的慢退化是由于有源区有暗缺陷(DSD)产生和长大,引起光功率下降。文中研究了老化过程中I-V特性和I-P特性与EL图象的变化规律,并与相同结构的InP/InGaAsP双异质结发光管的退化特性进行了比较,结果表明:它们有着不同的退化机理。
In this paper, the degradation characteristics of GaAs / GaAlAs double heterostructure LED were studied. There are two types of degradation, fast and slow. The slow degradation of the device is due to the occurrence of dark defects (DSDs) in the active region and its growth, resulting in a decrease in optical power. The degradation characteristics of I-V, I-P and EL images during aging are studied. The degradation characteristics of InP / InGaAsP double heterojunction LED with the same structure are compared. The results show that they have different degradation mechanisms.
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