Si基GaN的微结构表征

来源 :光散射学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：JERONG971

【摘要】

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采用快速辐射加热/低压-金属有机化学气相淀积(RTP/LP-MOCVD)方法分别以AlN和阳极氧化铝为缓冲层材料在Si衬底上外延生长GaN薄膜,通过X射线衍射谱(XRD)、光荧光谱(PL)、拉曼

【作者】

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江若琏陈鹏赵作明沈波张荣郑有炓

【机构】

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南京大学物理系,南京,210093

【出处】

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光散射学报

【发表日期】

：

2003年4期

【关键词】

：

GaN 微结构缓冲层 X射线衍射谱光荧光谱拉曼散射谱

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采用快速辐射加热/低压-金属有机化学气相淀积(RTP/LP-MOCVD)方法分别以AlN和阳极氧化铝为缓冲层材料在Si衬底上外延生长GaN薄膜,通过X射线衍射谱(XRD)、光荧光谱(PL)、拉曼散射谱(Raman Scattering)等手段对它们的微结构进行了表征和分析,结果指出AlN是优良的缓冲层材料.

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