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GaN外延衬底LiGaO2晶体的生长和缺陷
GaN外延衬底LiGaO2晶体的生长和缺陷
来源 :光学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wuweiyangking
【摘 要】
:
LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验,用提拉法生长了尺寸为Φ15×60mm的高质量LiGaO2单晶,利用化学侵蚀,光学显微镜,透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析
【作 者】
:
徐科
徐军
【机 构】
:
中国科学院上海光学精密研究所
【出 处】
:
光学学报
【发表日期】
:
1998年4期
【关键词】
:
LiGaO2
晶体生长
外延衬底
GAN
缺陷
LiGaO2 crystal
crystal growth
epitaxy substrate
GaN
defe
【基金项目】
:
国家科委863新材料领域资助
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LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验,用提拉法生长了尺寸为Φ15×60mm的高质量LiGaO2单晶,利用化学侵蚀,光学显微镜,透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析,研究了生长参数,原料化学配比对晶体质量的影响
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