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ＬｉＧａＯ２与ＧａＮ的晶格失配率只有０．２％，是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验，用提拉法生长了尺寸为Φ１５×６０ｍｍ的高质量ＬｉＧａＯ２单晶，利用化学侵蚀，光学显微镜，透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数，原料化学配比对晶体质量的影响
GaN外延衬底LiGaO2晶体的生长和缺陷
【摘 要】
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ＬｉＧａＯ２与ＧａＮ的晶格失配率只有０．２％，是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验，用提拉法生长了尺寸为Φ１５×６０ｍｍ的高质量ＬｉＧａＯ２单晶，利用化学侵蚀，光学显微镜，透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析
【机 构】
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中国科学院上海光学精密研究所
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1998年4期
【基金项目】
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国家科委863新材料领域资助
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