【摘 要】
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新泽西州Leonia的Kulite Semi-conductor Products公司的研究人员研制成功一种基于膜片的压阻碳化硅(SiC)压力传感器,其工作温度可能超过600℃。这么高的温度范围远超过目前
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新泽西州Leonia的Kulite Semi-conductor Products公司的研究人员研制成功一种基于膜片的压阻碳化硅(SiC)压力传感器,其工作温度可能超过600℃。这么高的温度范围远超过目前的常规硅传感器。KuliteSemiconductor Products公司首批生产的传感器工作于室温至350℃,但开发小组确信,它们可能工作于600℃。这一温度高于硅pn结隔离的压敏电阻的温度上限(175℃)和绝缘层上硅(SOI)传感器的温度上限(500℃)。
Researchers at Kulite Semi-conductor Products in Leonia, NJ have developed a diaphragm-based piezoresistive silicon carbide (SiC) pressure sensor that may operate at temperatures in excess of 600 ° C. Such a high temperature range far exceeds current conventional silicon sensors. The first KuliteSemiconductor Products sensors to operate at room temperature to 350 ℃, but the development team is convinced that they may work at 600 ℃. This is higher than the upper temperature limit (175 ° C) for piezoresistors and the upper temperature limit (500 ° C) for silicon-on-insulator (SOI) sensors of silicon pn junctions.
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