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本文从氢氟酸腐蚀二氧化硅，湿法去胶、有机溶剂去胶，等离子反应室沾污等方面入手，探讨如何控制腐蚀工艺过程中的颗粒问题，以最优化的工艺条件减少或消除工艺中的颗粒和滞留在硅片表面的残余物，从而达到对于１μｍ ＣＭＯＳ工艺颗粒的控制要求。
腐蚀工艺中的颗粒问题
【摘 要】
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本文从氢氟酸腐蚀二氧化硅，湿法去胶、有机溶剂去胶，等离子反应室沾污等方面入手，探讨如何控制腐蚀工艺过程中的颗粒问题，以最优化的工艺条件减少或消除工艺中的颗粒和滞留在硅片
【机 构】
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中国华晶电子集团公司中央研究所二室
【出 处】
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微电子技术
【发表日期】
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1996年4期
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