【摘 要】
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为改善晶态V2O5（c-V2O5）正极材料实际容量较低、循环性能较差等问题,制备了空心球聚吡咯/V2O5复合材料。利用导电吡咯单体（Py）在中空型V2O5层间发生原位氧化聚合反应制备聚吡咯（PP
【机 构】
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四川大学材料科学与工程学院,InstituteforSuperconductingandElectronicMaterials
【基金项目】
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Project（50574063）supported by the National Natural Science Foundation of China
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为改善晶态V2O5（c-V2O5）正极材料实际容量较低、循环性能较差等问题,制备了空心球聚吡咯/V2O5复合材料。利用导电吡咯单体（Py）在中空型V2O5层间发生原位氧化聚合反应制备聚吡咯（PPy）/中空型V2O5复合材料（HS-PPy/V2O5）。采用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）对样品进行表征,采用恒流充放电测试和电化学阻抗（EIS）测试样品的电化学性能。结果表明,Py单体已插入中空型V2O5层间,与纯中空型V2O5相比,制备的HS-PPY/V2O5复合材料比容量虽然有
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